5月18日，中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学著名教授李泽元莅临英飞特院士工作站指导工作。此次座谈会，李泽元院士为英飞特研发骨干团队作了关于《第三代半导体器件应用与技术》的专题培训，对半导体应用的重大技术问题提出了许多宝贵建议。
▲华董隆重介绍李泽元院士
李教授在两个多小时演讲分享中，着重介绍了第三代半导体器件（SiC, GaN）的高频化集成磁充电器的设计技术，并从效率、功率密度和自动化生产方面，进行了深入的讲解。
▲李教授现场作技术讲解
▲李教授参观英飞特新能源汽车储能式充电站
英飞特院士工作站自2016年建立以来，积极开展各项技术攻坚工作，充分发挥院士工作站的技术引领作用，注重高层次研发人才培养，努力促进科技成果转化推动产业发展。
